Bu yıl düzenlenen Hot chip 33 konferansında Samsung, 512GB DDR5 bellek standardına ilişkin en son geliştirmelerini duyurdu. Yeni DDR5 modüllerinde daha yüksek hız ve geniş kapasiteye çıkmak için bir çok yeni teknoloji kullanılmış.
Çip tarafında DDR5 8 yüksek TSV dizilimine geçen Samsung, bir önceki üretim sürecinde kullanılan daha kalın 4 Yüksek TSV dizilimini inceltmeyi başarmış. Yeni 8H DDR5 modülleri ile birlikte kalıplar arasındaki boşlukta %40 azaltarak gofret işleme tekniğini geçen firma, bu sayede eski 4H modüllerinin 1,2 mm kalınlığıni yeni 8H DDR5 modüllerinde 1,0 mm seviyelerine kadar düşürülmüş.
Yüksek performans sunmasını beklenen DDR5 teknolojisi, günümüzde kullanılan DDR4 RAM’lerin 3.2 Gbps hızını ikiye katlayarak 7,2 Gbps hızlarına çıkılmış. Performans artışının yanında 512 GB’a kadar kapasite de sunacağı söylenen modüller, 1,1 Volt gibi oldukça düşük güç tüketen verimli çiplerden oluşuyor.
Şirket tarafından yapılan bazı tahminlere göre DDR5 geçişi 2023/2024‘ten önce beklenmiyor. Bu da bellek üreticilerinin DDR5 ürünlerini iyileştirmeleri için hala zaman olduğu anlamına geliyor.